(資料圖片)

【長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地落戶光谷】據(jù)中國(guó)光谷微信公眾號(hào)消息，8月25日，武漢市東湖高新區(qū)管委會(huì)與長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體簽署了第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目合作協(xié)議書(shū)。長(zhǎng)飛先進(jìn)第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)生產(chǎn)基地項(xiàng)目總投資預(yù)計(jì)超過(guò)200億元，其中項(xiàng)目一期總投資100億元，可年產(chǎn)36萬(wàn)片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝等。

資訊監(jiān)督：劉奕 17739761747

資訊投訴：李瑞 15981879377